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參數(shù)資料
型號(hào): KSA1243
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Power Amplifier Applications
中文描述: 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: IPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大小: 39K
代理商: KSA1243
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
B
Base Current
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Parameter
Ratings
- 30
- 30
- 5
- 0.6
- 3
1
10
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 10mA, I
B
= 0
I
E
= - 1mA, I
C
= 0
V
CB
= - 20V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 2.5A
I
C
= - 2A, I
B
= - 0.2A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CB
= - 10V, f = 1MHz
Min.
- 30
- 5
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
μ
A
- 1
- 1
240
DC Current Gain
70
25
- 0.3
- 0.75
100
40
- 0.8
- 1
V
V
MHz
pF
Classification
h
FE1
O
Y
70 ~ 140
120 ~ 240
KSA1243
Power Amplifier Applications
Complement to KSC3073
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PACK
1
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PDF描述
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KSA1243YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1244 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Current Switching
KSA1244OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1244YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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