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參數資料
| 型號： | KSB708 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | KSB708 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : B707
* PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
10%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE
Cassification
Classification
Parameter
Value
- 80
- 60
- 80
- 7.0
- 7.0
- 15
- 3.5
40
1.5
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
: B708
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
V
CB
= - 60V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 1V, I
C
= - 3A
V
CE
= - 1V, I
C
= - 5A
I
C
= - 5A, I
B
= - 0.5A
I
C
= - 5A, I
B
= - 0.5A
Typ.
Max.
- 10
- 10
200
Units
μ
A
μ
A
* DC Current Gain
40
20
- 0.5
- 1.5
V
V
R
O
Y
h
FE1
40 ~ 80
60 ~ 120
100 ~ 200
KSB707/708
Low Frequency Power Amplifier
Low Speed Switching
Industrial Use
Complement to KSD568/569
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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