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參數資料
| 型號： | KSC1008Y |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
| 中文描述： | 700 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | KSC1008Y |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, August 2001
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
80
60
8
700
800
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=2V, I
C
=50mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
V
CE
=10V, I
C
=50mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
80
60
8
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
400
0.4
1.1
40
0.2
0.86
50
8
V
V
30
MHz
pF
R
O
Y
G
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSC1008
Low Frequency Amplifier Medium Speed
Switching
Complement to KSA708
High Collector-Base Voltage : V
CBO
=80V
Collector Current : I
C
=700mA
Collector Power Dissipation : P
C
=800mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| KSC1008 | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
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參數描述 |
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