- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374392 > KSC3265 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) NPN (LOW FREQUENCY AMPLIFIER) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KSC3265 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (LOW FREQUENCY AMPLIFIER) |
| 中文描述： | npn型（低頻放大器） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | KSC3265 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSC3265 | Low Frequency Amplifier |
| KSC3296 | Power Amplifier Applications |
| KSC3503 | CRT Display, Video Output |
| KSC3503DSTU | CRT Display, Video Output |
| KSC3569 | High Speed Switching Application |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSC3265OMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC3265OMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC3265YMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC3265YMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC3296 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。