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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KSD1362 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | B/W TV Horizontal Deflection Output |
| 中文描述： | 5 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | KSD1362 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Value
150
70
8
5
20
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 20mA, R
BE
=
∞
I
E
= 1mA, I
C
= 0
V
CB
= 100V, I
E
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
Min.
150
70
8
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
20
140
1
1.5
20
V
V
10
MHz
N
R
O
20 ~ 50
40 ~ 80
70 ~ 140
KSD1362
B/W TV Horizontal Deflection Output
Collector- Base Voltage : V
CBO
= 150V
Collector Current : I
C
= 5A
Collector Dissipation : P
C
= 20W (T
C
=25
°
C)
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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