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參數資料
| 型號： | KSE210 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Feature |
| 中文描述： | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | KSE210 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, January 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
Value
- 40
- 25
- 8
- 5
15
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
Min.
-25
Max.
Units
V
nA
μ
A
nA
I
C
= - 10mA, I
B
= 0
V
CB
= -40V, I
E
= 0
V
CB
= - 40V, I
E
=0 @ T
J
= 125
°
C
V
BE
= - 8V, I
C
= 0
V
CE
= - 1V, I
C
= - 500mA
V
CE
= - 1V, I
C
= - 2A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 5A
I
C
= - 500mA, I
B
= - 50mA
I
C
= - 2A, I
C
= - 200mA
I
C
= - 5A, I
B
= - 1A
I
C
= - 5A, I
B
= - 1A
V
CE
= - 1V, I
C
= - 2A
V
CE
= - 10V, I
C
= - 100mA
V
CB
= - 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
-100
-100
-100
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
(sat)
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
70
45
10
180
Collector-Emitter Saturation Voltage
-0.3
-0.75
-1.8
-2.5
-1.6
V
V
V
V
V
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
65
MHz
pF
120
KSE210
Feature
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Current Gain Bandwidth Product : f
T
=65MHz@I
C
= -100mA (Min.)
Complement to KSE200
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSE2955 | General Purpose and Switching Applications |
| KSE2955T | General Purpose and Switching Applications |
| KSE3055T | General Purpose and Switching Applications |
| KSE350 | High Voltage General Purpose Applications |
| KSE44H | General Purpose Power Switching Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSE210STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE2955 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose and Switching Applications |
| KSE2955T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE2955TTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE3055T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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