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參數資料
| 型號： | KSP55 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAP .010UF 50V CERAMIC X7R 10% |
| 中文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | KSP55 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
Units
: KSP55
: KSP56
-60
-80
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSP55
: KSP56
-60
-80
-4
-500
625
150
V
V
V
V
CEO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
-55 ~ 150
Test Condition
Min.
Max.
Units
: KSP55
: KSP56
I
C
= -1mA, I
B
=0
-60
-80
-4
V
BV
EBO
I
CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
: KSP55
: KSP56
V
CB
= -60V, I
E
=0
V
CB
= -80V, I
E
=0
V
CE
= -60V, I
B
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -10mA
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -2V, I
C
= -10mA
f=100MHz
-0.1
-0.1
-0.1
μ
A
μ
A
μ
A
I
CEO
h
FE
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
50
50
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
-0.25
-1.2
V
V
50
MHz
KSP55/56
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
=KSP55: 60V
KSP56: 80V
Collector Power Dissipation: P
C
(max) =625mW
Complement to KSP05/06
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSP56 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| KSP62 | Darlington Transistor |
| KSP63 | Darlington Transistor |
| KSP64 | Darlington Transistor |
| KSP6520 | Amplifier Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSP55BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP55TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP55TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP56 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor |
| KSP56BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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