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參數(shù)資料
| 型號： | KSP62 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | KSP62 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
Units
Collector-Base Voltage
: KSP62
: KSP63/64
-20
-30
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSP62
: KSP63/64
-20
-30
-10
-500
625
150
-55~150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
B
=0
Min.
Max.
Units
: KSP62
: KSP63/64
-20
-30
V
V
I
CBO
Collector Cut-off Current
: KSP62
: KSP63/64
V
CB
= -15V, I
E
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
BE
= -10V, I
C
=0
-100
-100
-100
nA
nA
nA
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
: KSP62
: KSP63
: KSP64
: KSP63
: KSP64
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
20K
5K
10K
10K
20K
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
: KSP62
: KSP63/64
I
C
= -10mA, I
B
= -0.01mA
I
C
= -100mA, I
B
= -0.1mA
-1.0
-1.5
V
V
V
BE
(on)
* Base-Emitter On Voltage
: KSP62
: KSP63/64
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
f=100MHz
-1.4
-2
V
V
f
T
Current Gain Bandwidth Product
: KSP63/64
125
MHz
KSP62/63/64
Darlington Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CES
=KSP62: 20V
KSP63/64: 30V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KSP62BU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSP62BU_Q | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSP62S | 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Bulk |
| KSP62TA | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSP62TF | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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