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參數資料
| 型號： | KSP6521 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | KSP6521 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, September 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
Parameter
Value
40
25
4
100
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=0.5mA, I
B
=0
I
C
=10, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
CE
=20V, I
E
=0
Min.
25
4
Typl
Max.
Units
V
V
nA
nA
50
50
h
FE
DC Current Gain
: KSP6520
: KSP6521
: KSP6520
: KSP6521
I
C
=100
μ
A, V
CE
=10V
I
C
=2mA, V
CE
=10V
100
150
200
300
400
600
0.5
3.5
V
CE
(sat)
C
ob
Collector-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
I
C
=50mA, I
B
=5mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=100KHz
I
C
=10
μ
A, V
CE
=5V
R
S
=10K
f=10Hz to 10KHz
V
pF
NF
Noise Figure
3
dB
KSP6520/6521
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
=25V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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參數描述 |
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| KSP6521BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/40V/100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP6521BU_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/40V/100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP6521NBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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