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參數(shù)資料
| 型號： | KSP8099 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | KSP8099 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, July 2001
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
Collector-Base Voltage
: KSP8098
: KSP8099
60
80
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSP8098
: KSP8099
60
80
6
500
625
150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
-55 ~ 150
Symbol
BV
CBO
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
: KSP8098
: KSP8099
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
60
80
V
V
BV
CEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
: KSP8098
: KSP8099
I
C
=10mA, I
B
=0
60
80
6
V
V
V
BV
EBO
I
CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
: KSP8098
: KSP8099
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
V
CE
=60V, I
B
=0
V
EB
=6V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
100
100
100
100
300
nA
nA
nA
nA
I
CEO
I
EBO
h
FE
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
100
100
75
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
0.3
V
V
V
BE
(on)
* Base-Emitter On Voltage
: KSP8098
: KSP8099
V
CE
=5V, I
C
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
f=100MHz
V
CB
=5V, I
E
=0
f=1MHz
0.5
0.6
150
0.7
0.8
V
V
f
T
Current Gain Bandwidth Product
MHz
C
ob
Output Capacitance
6
pF
KSP8098/8099
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
= KSP8098: 60V
KSP8099: 80V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSP8598 | Amplifier Transistor |
| KSP8599 | CAP .10UF 50V CERAMIC X7R 10% |
| KSP92 | High Voltage Transistor |
| KSP93 | High Voltage Transistor |
| KSP94 | High Voltage Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSP8099BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP8099TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP8099TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP8099TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP82 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Bulk |
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