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參數資料
| 型號： | KSP76 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | KSP76 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, July 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Base Breakdown Voltage
Parameter
Value
Units
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
: KSP75
: KSP76
: KSP77
-40
-50
-60
-10
-500
625
150
-55~150
V
V
V
V
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
B
=0
Min.
Max.
Units
: KSP75
: KSP76
: KSP77
-40
-50
-60
V
V
V
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
: KSP75
: KSP76
: KSP77
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
-40
-50
-60
V
V
V
nA
nA
nA
nA
nA
I
CBO
Collector Cut-off Current
: KSP75
: KSP76
: KSP77
V
CE
= -30V, I
E
=0
V
CE
= -40V, I
E
=0
V
CE
= -50V, I
E
=0
V
CE
= -10V, I
B
=0
-100
-100
-100
-100
I
EBO
I
CES
Emitter Cut-off Current
Collector Cut-off Current
: KSP75
: KSP76
: KSP77
V
CE
= -30V, I
E
=0
V
CE
= -40V, I
E
=0
V
CE
= -50V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
I
C
= -100mA, I
B
= -0.1mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
-500
-500
-500
nA
nA
nA
h
FE
DC Current Gain
10K
10K
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
-1.5
2
V
V
KSP75/76/77
Darlington Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CES
= KSP75: 40V
KSP76: 50V
KSP77: 60V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSP77 | Darlington Transistor |
| KSP8098 | Amplifier Transistor |
| KSP8099 | Amplifier Transistor |
| KSP8598 | Amplifier Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSP76BU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSP76BU_Q | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSP77 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Darlington Transistor |
| KSP77BU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSP77BU_Q | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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