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參數資料
| 型號： | KST63 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | KST63 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CES
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
: KST63
: KST64
: KST63
: K ST64
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
* Pulse test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Marking Code
Parameter
Value
-30
-30
-10
-500
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
Test Condition
I
C
= -100, V
BE
=0
V
CE
= -30V, I
E
=0
V
EB
= -10V, I
C
=0
Min.
-30
Max.
Units
V
nA
nA
-100
-100
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
5K
10K
10K
20K
I
C
= -100mA, I
B
= -0.1mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
f=100MHz
-1.5
-2.0
V
V
125
MHz
Type
Mark
KST63
2U
KST64
2V
KST63/64
Darlington Transistor
2U
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KST64 | Darlington Transistor |
| KST92 | High Voltage Transistor |
| KST93 | High Voltage Transistor |
| KT105 | Thyristor / Diode Modules |
| KT10L07 | TSS KT Series |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KST63MTF | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KST63MTF_Q | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KST64 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Darlington Transistor |
| KST64MTF | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KST64MTF_Q | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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