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參數資料
| 型號： | L2SD1781KRLT1G |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Medium Power Transistor(32V, 0.8A) |
| 中文描述： | 中等功率晶體管（32V的，0.8A） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | L2SD1781KRLT1G |
LRC
LESHAN RADIO COMPANY,LTD.
Medium Power Transistor
(32V, 0.8A)
L
2SD1781K
*LT1
Features
1) Very low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
(I
C
/ I
B
= 500mA / 50mA)
2) High current capacity in compact
package.
3) Complements the
L
2SB1197K
*LT1
4) Pb FreePackage is Available.
0.4 V (Typ.)
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
L2SD1781K*LT1
SOT-23 /TO-236AB
1
3
2
1
BASE
COLLECTOR
3
2
EMITTER
L2SD1781K*LT1-1/4
Device
Marking
Shipping
L2SD1781KQLT1
L2SD1781KQLT1
G
L2SD1781KRLT1
L2SD1781KRLT1
G
AFQ
AFQ(Pb-Free)
AFR
AFR(Pb-Free)
3000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
ORDERING INFORMATION
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L2SD2114KLT1 | Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| L2SD2114KVLT1 | Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| L2SD2114KVLT1G | Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| L2SD2114KWLT1 | Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| L2SD2114KWLT1G | Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| L2SD2114KLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| L2SD2114KVLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| L2SD2114KVLT1G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| L2SD2114KVLT1G_11 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain |
| L2SD2114KVLT3G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain |
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