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參數資料
| 型號： | LC4384B-75F256C |
| 文件頁數： | 14/57頁 |
| 文件大小： | 1078K |
| 代理商： | LC4384B-75F256C |
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Lattice Semiconductor
ispMACH 4000V/B/C Family Data Sheet
14
Absolute Maximum Ratings
1, 2, 3
ispMACH 4000C
(1.8V)
ispMACH 4000B
(2.5V)
ispMACH 4000V
(3.3V)
Supply Voltage (V
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 2.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 5.5V. . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V
Output Supply Voltage (V
CCO
) . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 4.5V. . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V
Input or I/O Tristate Voltage Applied
4
. . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 4.5V. . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65 to 150
°
C. . . . . . . . . -65 to 150
°
C . . . . . . . . .-65 to 150
°
C
Junction Temperature (T
j
) with Power Applied . . .-55 to 150
°
C. . . . . . . . . -55 to 150
°
C . . . . . . . . .-55 to 150
°
C
1. Stress above those listed under the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. Functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this speci
fi
cation
is not implied.
2. Compliance with Lattice
Thermal Management
document is required.
3. All voltages referenced to GND.
4. Overshoot and undershoot of -2V to (V
IH
(MAX) +2) volts is permitted for a duration of < 20ns.
Recommended Operating Conditions
Erase Reprogram Speci
fi
cations
Hot Socketing Characteristics
1,2,3
I/O Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Min
1.65
2.3
3.0
0
-40
Max
1.95
2.7
3.6
90
105
Units
V
V
V
C
C
V
CC
Supply Voltage for 1.8V Devices
Supply Voltage for 2.5V Devices
Supply Voltage for 3.3V Devices
Junction Temperature (Commercial)
Junction Temperature (Industrial)
T
j
Parameter
Min
1,000
Max
—
Units
Cycles
Erase/Reprogram Cycle
Note: Valid over commercial temperature range.
Symbol
I
DK
1. Insensitive to sequence of V
CC
and V
CCO
. However, assumes monotonic rise/fall rates for V
CC
and V
CCO
.
2. 0 < V
CC
< V
CC
(MAX), 0 < V
CCO
< V
CCO
(MAX).
3. I
DK
is additive to I
PU
, I
PD
or I
BH
. Device defaults to pull-up until fuse circuitry is active.
Parameter
Condition
0
≤
V
IN
≤
V
IH
(MAX)
Min
—
Typ
—
Max
±150
Units
μ
A
Input or I/O Leakage Current
Standard
V
CCO
(V)
1
Min
3.0
3.0
2.3
1.65
3.0
Max
3.6
3.6
2.7
1.95
3.6
LVTTL
LVCMOS 3.3
LVCMOS 2.5
LVCMOS 1.8
PCI 3.3
1. Typical values for V
CCO
are the average of the Min and Max values.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LC4384B-75F256I | |
| LC4384B-75T176C | |
| LC4384V-10F256I | |
| LC4384V-10T176I | |
| LC4384V-35F256C | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LC4384B-75F256C1 | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V/2.5V/1.8V In-System Programmable SuperFAST High Density PLDs |
| LC4384B-75F256I | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 PROGRAMMABLE SUPER FAST HI DENSITY PLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| LC4384B-75F256I1 | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V/2.5V/1.8V In-System Programmable SuperFAST High Density PLDs |
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