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參數資料
| 型號： | LMX2531LQ1910E |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | XO, clock |
| 英文描述： | PLLatinum High Performance Frequency Synthesizer System with Integrated VCO |
| 中文描述： | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 80 MHz, QCC36 |
| 封裝： | 6 X 6 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEAD FREE, LLP-36 |
| 文件頁數： | 6/25頁 |
| 文件大小： | 589K |
| 代理商： | LMX2531LQ1910E |
Electrical Characteristics
(V
CC
= 3.0 V, -40C
≤
T
A
≤
85 C; except as specified.)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Current Consumption
I
CC
Power Supply Current
(All Parts Except
LMX2531LQ2265E,
LMX2531LQ2570E)
Power Supply Current
(LMX2351LQ2265E,
LMX2531LQ2570E)
Power Down Current
Divider Disabled
34
41
mA
Divider Enabled
37
46
Divider Disabled
38
44
Divider Enabled
41
49
I
CC
PD
CE = 0 V, Part Initialized
Oscillator
V
IH
= 2.75 V
V
IL
= 0
7
μA
I
IH
OSC
I
IL
OSC
f
OSCin
v
OSCin
Oscillator Input High Current
Oscillator Input Low Current
Frequency Range
Oscillator Sensitivity
100
μA
μA
MHz
Vpp
-100
5
0.5
80
2.0
PLL
f
COMP
Phase Detector Frequency
20
MHz
μA
μA
μA
μA
nA
I
CPout
Charge Pump
Output Current Magnitude
ICP = 0
ICP = 1
ICP = 3
ICP = 15
90
180
360
1510
2
I
CPout
TRI
CP TRI-STATE Current
Charge Pump
Sink vs. Source Mismatch
Charge Pump
Current vs. CP Voltage Variation
CP Current vs. Temperature
Variation
0.4 V
<
V
CPout
<
2.0 V
V
CPout
= 1.2 V
T
A
= 25C
0.4 V
<
V
CPout
<
2.0 V
T
A
= 25C
10
I
CPout
MM
2
8
%
I
CPout
V
4
%
I
CPout
T
V
CPout
= 1.2 V
8
%
LN(f)
Normalized Phase Noise
Contribution
(Note 2)
ICP = 1X Charge Pump Gain
4 kHz Offset
ICP = 16X Charge Pump Gain
4 kHz Offset
-202
dBc/Hz
-212
L
www.national.com
6
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PDF描述 |
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