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M58C669P

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M58C669P 技術參數

M58BW32FB5ZA3T TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS LBGA M58BW32FB5ZA3F 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ M58BW32FB5T3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80PQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ M58BW32FB5T3F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80QFP M58BW32FB4ZA3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 45NS 80LBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ M58LR128KT85ZB6E M58LR128KT85ZB6F TR M58LR256KB70ZC5E M58LR256KB70ZC5F TR M58LR256KB70ZC5W TR M58LR256KB70ZC5Z M58LR256KB70ZQ5E M58LR256KB70ZQ5F TR M58LR256KB70ZQ5W TR M58LR256KB70ZQ5Z M58LR256KT70ZC5E M58LR256KT70ZC5F TR M58LR256KT70ZQ5E M58LR256KT70ZQ5F TR M58LT128HSB8ZA6E M58LT128HSB8ZA6F M58LT128HSB8ZA6F TR M58LT128HST8ZA6E