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MBRT20040R

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功能描述
肖特基二極管與整流器 40V 200A Schottky Recovery
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
產品
Schottky Diodes
峰值反向電壓
2 V
正向連續電流
50 mA
最大浪涌電流
配置
Crossover Quad
恢復時間
正向電壓下降
370 mV
最大反向漏泄電流
最大功率耗散
75 mW
工作溫度范圍
- 65 C to + 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-143
封裝
Reel

MBRT20040R 技術參數

MBRT20040 功能描述:DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT20035R 功能描述:DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT20035 功能描述:DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT200100 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:880mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRM3100-13-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 3A 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:760mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:100pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:Powermite?3 供應商器件封裝:Powermite 3 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 MBRT300150R MBRT30020 MBRT300200 MBRT300200R MBRT30020L MBRT30020R MBRT30020RL MBRT30030 MBRT30030L MBRT30030R MBRT30030RL MBRT30035 MBRT30035L MBRT30035R MBRT30035RL MBRT30040 MBRT30040L MBRT30040R