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MBRT300150R

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MBRT300150R 技術參數

MBRT20040R 功能描述:DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT20040 功能描述:DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT20035R 功能描述:DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT20035 功能描述:DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT200100 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:880mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT30030RL MBRT30035 MBRT30035L MBRT30035R MBRT30035RL MBRT30040 MBRT30040L MBRT30040R MBRT30040RL MBRT30045 MBRT30045L MBRT30045R MBRT30045RL MBRT30060 MBRT30060R MBRT30080 MBRT30080R MBRT400100