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MLF2012DR56MT

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 操作
  • MLF2012DR56MT
    MLF2012DR56MT

    MLF2012DR56MT

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 3000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • MLF2012DR56MT000
    MLF2012DR56MT000

    MLF2012DR56MT000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • MLF2012DR56MT000
    MLF2012DR56MT000

    MLF2012DR56MT000

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業執照

  • 800000

  • TDK

  • 805

  • 2024+

  • -

  • 代理商庫房現貨

  • MLF2012DR56MT
    MLF2012DR56MT

    MLF2012DR56MT

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 3000

  • 原廠品牌

  • 標準封裝

  • 09/10+

  • -

  • MLF2012DR56MT000
    MLF2012DR56MT000

    MLF2012DR56MT000

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • TDK

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
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MLF2012DR56MT 技術參數
  • MLF2012DR56M 功能描述:560nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 550 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:560nH 容差:±20% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:550 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標準包裝:1 MLF2012DR56KTD25 功能描述:560nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 550 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:560nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:550 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標準包裝:1 MLF2012DR56KT000 功能描述:560nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 550 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:560nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:550 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標準包裝:1 MLF2012DR56JTD25 功能描述:560nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 550 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:560nH 容差:±5% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:550 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標準包裝:1 MLF2012DR47MTD25 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 200mA 500 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:500 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:160MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標準包裝:1 MLF2012DR68MTD25 MLF2012DR82JT000 MLF2012DR82JTD25 MLF2012DR82KT MLF2012DR82KT000 MLF2012DR82KTD25 MLF2012DR82M MLF2012DR82MT MLF2012DR82MT000 MLF2012DR82MTD25 MLF2012E100JT000 MLF2012E100JTD25 MLF2012E100KT000 MLF2012E100KTD25 MLF2012E100M MLF2012E100MT MLF2012E100MT000 MLF2012E100MTD25
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