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MLP2012HR54MT

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    MLP2012HR54MT

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • MLP2012HR54MT
    MLP2012HR54MT

    MLP2012HR54MT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

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MLP2012HR54MT 技術參數
  • MLP2012HR47MT0S1 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 91 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):91 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 MLP2012H2R2MT0S1 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1A 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):195 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 MLP2012H1R5MT0S1 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):156 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 MLP2012H1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):156 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLP2012S2R2T MLP2012S2R2TT0S1 MLP2012S3R3MT0S1 MLP2012S4R7MT0S1 MLP2012SR47MT0S1 MLP2012SR47T MLP2012SR47TT0S1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1 MLP2012V1R5MT MLP2012V1R5MT0S1 MLP2012V2R2MT MLP2012V2R2MT0S1 MLP2012V4R7MT
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