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參數資料
| 型號： | MA27111 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI2-F2, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | MA27111 |
Switching Diodes
MA27111
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: November 2003
SKF00066BED
For high-speed switching circuits
■
Features
High-density mounting is possible
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance C
t
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RM
80
V
Maximum peak reverse voltage
80
V
Forward current
I
F
100
mA
Peak forward current
I
FM
I
FSM
225
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
500
mA
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
=
100 mA
I
R
=
100
μ
A
V
R
=
75 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
10 mA, V
R
=
6 V
I
rr
=
0.1 I
R
, R
L
=
100
0.95
1.20
V
Reverse voltage
V
R
I
R
80
Reverse current
100
nA
Terminal capacitance
C
t
t
rr
0.6
2.0
pF
Reverse recovery time
*
3
ns
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1 I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Unit: mm
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Absolute frequency of input and output is 10 MHz.
3.*: t
rr
measurement circuit
1: Anode
2: Cathode
SSSMini2-F2 Package
Marking Symbol: S
5
°
5
°
0.27
2
1
1
±
0
±
1
±
0.60
±0.05
0
0
0
0
+0.05
0.13
+0.05
Note)*: t
=
1 s
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