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參數資料
型號: MA27D27
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon epitaxial planar type
中文描述: 0.1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, SSSMINI2-F2, 2 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 72K
代理商: MA27D27
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA27D27
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: March 2003
SKH00122AED
For super high speed switching
Features
Small reverse current I
R
Optimum for high frequency rectification because of its short
reverse recovery time t
rr
SSS-Mini type 2-pin package
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RRM
20
V
Repetitive peak reverse voltage
20
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
100
mA
Peak forward current
I
FM
I
FSM
200
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
1
A
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F1
I
F
=
10 mA
I
F
=
100 mA
V
R
=
10 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
0.38
0.44
V
V
F2
I
R
0.54
0.58
Reverse current
0.3
μ
A
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
11
pF
1
ns
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Rated input/output frequency: 250 MHz
4.* : t
rr
measurement circuit
1: Anode
2: Cathode
SSSMini2-F2 Package
Unit: mm
5
°
5
°
0.27
1
2
1
±
0
±
1
±
0.60
±0.05
0
0
±
0
±
0
+0.05
0.12
+0.05
Note)*: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form
Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
I
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
10mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Marking Symbol: 8L
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PDF描述
MA27D29 Schottky Barrier Diodes (SBD)
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參數描述
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