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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA2J732 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| 中文描述： | SILICON, L BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F1, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | MA2J732 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2J732
(MA732)
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: August 2001
SKH00016AED
For switching
For wave detection
I
Features
Low forward voltage V
F
, optimum for low voltage rectification
Low V
F
type of MA3X704A (MA704A)
Optimum for high frequency rectification because of its short re-
verse recovery time (t
rr
)
S-Mini type 2-pin package
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
30
V
Peak reverse voltage
30
V
Peak forward current
I
FM
I
F
T
j
150
mA
Forward current (DC)
30
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Marking Symbol: 2C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
30 V
I
F
=
1 mA
I
F
=
30 mA
V
R
=
1 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
10 mA
I
rr
=
1 mA, R
L
=
100
V
in
=
3 V
(peak)
, f
=
30 MHz
R
L
=
3.9 k
, C
L
=
10 pF
30
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F1
V
F2
C
t
t
rr
0.3
V
1.0
Terminal capacitance
1.5
pF
Reverse recovery time
*
1.0
ns
Detection efficiency
η
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Unit: mm
1 : Anode
2 : Cathode
EIAJ : SC-90A
SMini2-F1 Package
5
°
5
°
1.25
±0.1
0.7
±0.1
2
±
1
±
0
±
0
(
0.16
0.5
±0.1
1
2
+0.1
0.35
±0.1
0 to 0.1
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 2 GHz
3.*: t
rr
measuring instrument
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA732 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA2JP02 | Silicon epitaxial planar type |
| MA2P291 | Rectifier Diodes |
| MA2P701 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA2P701A | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA2J73200L | 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2J7320GL | 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2JP02 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2JP0200L | 功能描述:DIODE PIN 60V 100MA S MINI-2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 二極管類型:PIN - 單 電壓 - 峰值反向(最大):50V 電流 - 最大:50mA 電容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 電阻@ Vr, F:4.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-MCP 包裝:帶卷 (TR) |
| MA2L1FAA | 制造商:MTRONPTI 制造商全稱:MTRONPTI 功能描述:14 pin DIP, 5.0 Volt, ACMOS/TTL, Clock Oscillator |
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