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參數資料
| 型號： | MA2SD25 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.2 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F1, SC-79, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | MA2SD25 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2SD25
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: August 2001
SKH00029AED
For super high speed switching
I
Features
I
F(AV)
=
200 mA rectification is possible
SS-Mini type 2-pin package
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
15
V
Repetitive peak reverse-voltage
15
V
Peak forward current
I
FM
I
F(AV)
I
FSM
300
mA
Average forward current
200
mA
Non-repetitive peak forward-
surge-current
*
1
A
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Note) *: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Marking Symbol: 6L
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
6 V
I
F
=
200 mA
V
R
=
1 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
50
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F
C
t
t
rr
0.39
V
Terminal capacitance
20
pF
Reverse recovery time
*
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1 : Anode
2 : Cathode
EIAJ : SC-79
SSMini2-F1 Package
Unit: mm
0.80
+0.05
0.60
+0.05
0.12
+0.05
1
+
–
0
+0
0.30
±0.05
0.01
±0.01
1
±
0
±
1
2
0
±
(
(
(
(
5
°
5
°
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3.*: t
rr
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