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參數資料
| 型號： | MA2YD15 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| 中文描述： | 1 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI2-F1, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | MA2YD15 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2YD15
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: August 2001
SKH00031AED
For high frequency rectification
I
Features
I
F(AV)
=
1 A rectification is possible
Low forward voltage V
F
Small reverse current I
R
Mini type 2-pin package
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
20
V
Repetitive peak reverse-voltage
Average forward current
*1
25
V
I
F(AV)
I
FSM
1
A
Non-repetitive peak forward-
surge-current
*2
3
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note)*1: Mounted on a alumina PC board
*2: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Marking Symbol: 2R
1 : Anode
2 : Cathode
Mini2-F1 Package
Unit: mm
5
°
1.6
±0.1
1
2
0.55
±0.1
0.80
±0.05
0.16
+0.1
3
±
2
±
0.45
±0.1
5
°
0 to 0.1
0
0
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
20 V
I
F
=
1 A
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
100
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F
C
t
t
rr
0.45
V
Terminal capacitance
120
pF
Reverse recovery time
*
10
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
2.*: t
rr
measuring instrument
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