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參數資料
| 型號： | MA2YD17 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI2-F1, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MA2YD17 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2YD17
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: April 2004
SKH00032BED
For high frequency rectification
■
Features
Reverse voltage V
R
=
100 V is guaranteed
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RM
100
V
Maximum peak reverse voltage
100
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
I
FSM
300
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
1.5
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) *: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Marking Symbol: 2T
1: Anode
2: Cathode
Mini2-F1 Package
Unit: mm
5
1.6
±
0.1
1
2
0.55
±
0.1
0.80
±
0.05
0.16
+0.1
3
±
0
2
±
0
0.45
±
0.1
5
0 to 0.1
0
0
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
R
I
F
=
300 mA
V
R
=
100 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
0.1 I
R
, R
L
=
100
0.50
0.58
V
Reverse current
200
μ
A
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
100
pF
7
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1 I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3.*: t
rr
measurement circuit
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