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參數資料
| 型號： | MA2ZD02 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F1, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | MA2ZD02 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2ZD02
Silicon epitaxial planar type
For high-frequency rectification
I
Features
Mini package (S-mini type 2-pin)
Reverse current (DC value) V
R
is low
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
20
V
Repetitive peak reverse voltage
20
V
Average forward current
I
F(AV)
500
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
3
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note)
*: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-
repetitive)
Internal Connection
Marking Symbol: 2H
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R1
I
R2
V
F1
V
R
= 5 V
V
R
= 10 V
I
F
= 10 mA
I
F
= 500 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
1
μ
A
μ
A
10
Forward voltage (DC)
0.3
0.4
V
V
F2
C
t
0.5
0.55
V
Terminal capacitance
60
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
5
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment
2. Rated input/output frequency: 1 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
1 : Anode
2 : Cathode
S-Mini Type Package (2-pin)
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1
2
K
A
0
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
2.5
±
0.2
1.7
±
0.1
0.4
±
0.1
0.4
±
0.1
0
+
0
0
2
1
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