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參數資料
| 型號： | MA3J741 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, L BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F1, SC-79, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | MA3J741 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3J741
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits
I
Features
S-mini type package (3-pin) of MA3X704A
Low forward rise voltage (V
F
) and satisfactory wave detection
efficiency (
η
)
Small temperature coefficient of forward characteristic
Extremely low reverse current I
R
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
30
V
Peak reverse voltage
V
RM
I
F
I
FM
30
V
Forward current (DC)
30
mA
Peak forward current
150
mA
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
EIAJ : SC-70
Flat S-Mini Type Package (3-pin)
Internal Connection
Marking Symbol: M1L
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F1
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f
= 1 MHz
300
nA
Forward voltage (DC)
0.4
V
V
F2
C
t
1
V
Terminal capacitance
1.5
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
1
ns
Detection efficiency
η
V
in
= 3 V
(peak)
, f = 30 MHz
R
L
= 3.9 k
, C
L
= 10 pF
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
Bias Application Unit N-50BU
1.25
±
0.1
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
0
0.425
0.425
0
+
0
0
2.1
±
0.1
0
+
0
0
1
2
3
1
2
3
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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