- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380316 > MA3XD11 (PANASONIC CORP) Silicon epitaxial planar type PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MA3XD11 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.001 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | MA3XD11 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3XD11
Silicon epitaxial planar type
For high-frequency rectification
I
Features
Sealed in the Mini type 3-pin package
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 1 A) condition
Low forward rise voltage V
F
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
2.8
+
0.2
0.3
1.5
+
0.25
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
2
+
0
0
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
I
F(AV)
20
V
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
*1
25
V
1.0
A
Non-repetitive peak forward
surge current
*2
I
FSM
3
A
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55
to
+
125
Marking Symbol: M6K
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of
a human body and the leakage of current from the operating equipment
2. Rated input/output frequency: 400 MHz
1
2
3
1 : Anode
2 : NC
3 : Cathode
Mini Type Package (3-pin)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 20 V
I
F
= 1.0 A
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
200
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F
C
t
0.45
V
Terminal capacitance
180
pF
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) *1: With a alumina PC board
*2: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave
(non-repetitive)
Internal Connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA3XD21 | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z080D | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z080E | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z551 | Silicon epitaxial planar type |
| MA3Z792D | Silicon epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA3XD1100L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA3XD14E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type (cathode common) |
| MA3XD15 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA3XD1500L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA3XD17 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。