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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA4S159 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI4-F1, SC-82, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | MA4S159 |
Switching Diodes
MA4S159
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Small S-mini type 4-pin package
Two isolated elements contained in one package, allowing high-
density mounting
Flat lead type, resulting in improved mounting efficiency and
solderability with the high-speed mounting machine
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance, C
t
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
80
V
Peak reverse voltage
V
RM
I
F(AV)
80
V
Average forward
Single
100
mA
current
Double
75
Peak forward
Single
I
FM
225
mA
current
Double
170
Non-repetitive peak
Single
I
FSM
500
mA
forward surge current
*
Double
375
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Internal Connection
Note) * : t = 1 s
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F
V
R
= 75 V
I
F
= 100 mA
I
R
= 100
μ
A
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
0.1
μ
A
Forward voltage (DC)
0.95
1.2
V
Reverse voltage (DC)
V
R
C
t
80
V
Terminal capacitance
0.9
2
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= 10 mA, V
R
= 6 V
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25
°
C
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
4
3
1
2
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
2
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
1
2
3
4
1 : Anode 1
2 : Anode 2
3 : Cathode 2
4 : Cathode 1
S-Mini Type Package (4-pin)
Marking Symbol: M1B
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
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