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參數資料
型號: MBC13900T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN Silicon Low Noise Transistor
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ULTRA SMALL, PLASTIC, CASE 318M, SC-70, 4 PIN
文件頁數: 6/26頁
文件大小: 813K
代理商: MBC13900T1
6
MBC13900 Technical Data
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MOTOROLA
Typical Performance Characteristics
Figure 8. Maximum Stable/Available gain and Forward Insertion Gain versus Collector Current
Figure 9. Maximum Stable/Available gain and Forward Insertion Gain versus Collector Current
Figure 10. Minimum Noise Figure and Associated Gain versus Frequency
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
|S
21
|
2
1.9 GHz
V
CE
= 2.0 V
MSG/MAG 1.9 GHz
|S
21
|
2
900 MHz
MSG/MAG 900 MHz
M
A
2
|
2
,
20
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
6.0
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8.0
7.0
27
25
23
21
19
17
15
13
11
9.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
M
A
2
|
2
,
V
CE
= 3.0 V
|S
21
|
2
1.9 GHz
MSG/MAG 1.9 GHz
|S
21
|
2
900 MHz
MSG/MAG 900 MHz
20
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
0.6
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
G
N
,
2.0
26
NF
min
G
NF
V
CE
= 2.0
V
IC
= 5.0 mA
f, FREQUENCY (GHz)
22
18
14
10
6.0
N
m
,
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
F
n
.
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