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參數資料
型號: MBM29SL800TE-90
廠商: Spansion Inc.
英文描述: FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
中文描述: 閃存的CMOS 8米(1的MX五百十二分之八kX的16)位
文件頁數: 1/52頁
文件大小: 213K
代理商: MBM29SL800TE-90
DS05-20911-1E
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
FLASH MEMORY
CMOS
8 M (1 M
×
8/512 K
×
16) BIT
MBM29SL800TE/BE
-90
/
10
I
DESCRIPTION
The MBM29SL800TE/BE are a 8 M-bit, 1.8 V-only Flash memory organized as 1 Mbytes of 8 bits each or 512
Kwords of 16 bits each. The MBM29SL800TE/BE are offered in a 48-ball FBGA and 45-ball SCSP packages.
These devices are designed to be programmed in-system with the standard system 1.8 V V
CC
supply. 12.0 V V
PP
and 5.0 V V
CC
are not required for write or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard
EPROM programmers.
(Continued)
I
PRODUCT LINE UP
I
PACKAGES
Part No.
MBM29SL800TE/BE-90
MBM29SL800TE/BE-10
V
CC
1.65 V to 1.95 V
Max Address Access Time
90 ns
100 ns
Max CE Access Time
90 ns
100 ns
Max OE Access Time
30 ns
35 ns
48-ball Plastic FBGA
45-ball Plastic SCSP
(BGA-48P-M20)
(WLP-45P-M02)
相關PDF資料
PDF描述
MBM29SL800TE-90PBT FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TE-90PW FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TD-12PW FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BD-10PBT FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BD-10PFTN FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
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參數描述
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