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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBT35200MT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications |
| 中文描述： | 2000 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 318G-02, TSOP-6 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MBT35200MT1 |
MBT35200MT1
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318G–02
ISSUE G
STYLE 6:
PIN 1. COLLECTOR
2. COLLECTOR
3. BASE
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. COLLECTOR
2
3
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
S
MIN
2.90
1.30
0.90
0.25
0.85
0.013
0.10
0.20
1.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.50
1.05
0.100
0.26
0.60
1.55
10
3.00
MIN
0.1142
0.0512
0.0354
0.0098
0.0335
0.0005
0.0040
0.0079
0.0493
MAX
0.1220
0.0669
0.0433
0.0197
0.0413
0.0040
0.0102
0.0236
0.0610
10
0.1181
INCHES
MILLIMETERS
0
0
0.0985
2.50
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
M
J
K
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT35200 | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| MBT3906DW1T1 | Dual General Purpose Transistor |
| MBT3906DW1T1G | Dual General Purpose Transistor |
| MBT3906DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
| MC100EP16TDT | 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with Internal Termination |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBT35200MT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications |
| MBT35200MT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT35200MT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MBT35200MT2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TSOP6 PNP XSTR SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3904DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱(chēng):Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon |
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