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參數(shù)資料
型號: MBT3906DW1T1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual General Purpose Transistor
中文描述: 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 111K
代理商: MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1
http://onsemi.com
5
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 13. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
F
V
CE
= 1.0 V
T
J
= +125
°
C
+25
°
C
55
°
C
Figure 14. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
I
C
= 1.0 mA
T
J
= 25
°
C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
Figure 15. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 16. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
1.0
1.5
2.0
200
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE(sat)
,
V
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3906DW1T1 Dual General Purpose Transistors
MC100EP16TDT 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with Internal Termination
MC100EP16VC 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High Gain and Enable Output
MC100EP16VCD 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High Gain and Enable Output
MC100EP16VCDR2 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High Gain and Enable Output
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBT3906DW1T1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 GP XSTR PNP 40V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bipolar Transistor 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL - SS SC88 GP XSTR PNP 40V
MBT3906DW1T3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MBT3946DW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor NPN+PNP Silicon
MBT3946DW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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