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參數資料
| 型號： | MBT3906DW |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon |
| 中文描述： | 雙通用硅晶體管的新進步黨進步黨 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 792K |
| 代理商： | MBT3906DW |
Dual General Purpose Transistor
PNP+PNP Silicon
* “G” Lead(Pb)-Free
1.Decice Mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimun recommended foot print.
2.Pulse Test:Pluse Width<
<
Maximum Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Value
-40
-40
-5.0
-200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Rating
MBT3906DW=A2
Device Marking
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(2)
(I
C
=-1.0mAdc.I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
=-10 uAdc, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (I
E
=-10 uAdc, I
C
=0)
Base Cutoff Current (V
CE
=-30 Vdc, V
EB
=-3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current (V
CE
=-30Vdc, V
EB
=-3.0Vdc)
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
BL
I
CEX
-50
-50
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
Off Characteristics
MBT3906DW
-40
-40
-5.0
-
-
-
-
-
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
Electrical Characteristics
(T
A
=25 C Unless Otherwise noted)
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation T
A
=25 C
Junction and Storage, Temperature
Characteristics
TJ,Tstg
PD
Symbol
Max
833
-55 to +150
Unit
mW
C/W
C
Thermal Characteristics
R JA
SOT-363(SC-88)
(1)
150
3
4
5
1
2
6
PNP+PNP
123
654
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT5401 | SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
| MC-162-4 | LCD MODULE |
| MC100EL11D | 1:2 Differential Fanout Buffer |
| MC10EL11 | Dual 1.5A Current-Limited, Power Distribution Switch 8-MSOP-PowerPAD 0 to 70 |
| MC100ES6056 | 2.5V, 3.3V ECL/LVPECL/LVDS DUAL DIFFERENTIAL 2:1 MULTIPLEXER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBT3906DW1T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3906DW1T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3906DW1T1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor |
| MBT3906DW1T2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 GP XSTR PNP 40V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bipolar Transistor 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL - SS SC88 GP XSTR PNP 40V |
| MBT3906DW1T3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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