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參數資料
| 型號： | MCR12D |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | GT 10C 10#16 SKT RECP |
| 中文描述： | 12 A, 400 V, SCR, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | MCR12D |
MCR12D, MCR12M, MCR12N
http://onsemi.com
4
Figure 5. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 6. Typical Gate Trigger Voltage versus
Junction Temperature
–25
20
–40
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
10
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
–25
65
–40
0.2
20
5
,
I
50
110
65
5
125
35
50
V
80
1
1.0
–10
35
95
100
–10
95
80
125
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
110
Figure 7. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
65
125
–40
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
10
1
–25
5
20
50
95
100
–10
35
80
110
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCR12M | Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR12N | Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR225-10FP | ISOLATED SCRs 25 AMPERES RMS 600 thru 800 VOLTS |
| MCR225-8FP | ISOLATED SCRs 25 AMPERES RMS 600 thru 800 VOLTS |
| MCR649AP1 | SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MCR12DCM | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
| MCR12DCMT4 | 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| MCR12DCMT4G | 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| MCR12DCMT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCR Thyristor |
| MCR12DCN | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
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