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參數資料
| 型號： | MDI100-12A3 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Modules |
| 中文描述： | 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | MDI100-12A3 |
2000 IXYS All rights reserved
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A
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V
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125
A
175
13V
11V
T
J
= 25°C
V
GE
=17V
T
J
= 125°C
V
CE
= 600V
I
C
= 75A
15V
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150
13V
11V
V
GE
=17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 25°C
9V
9V
V
CE
V
I
C
V
CE
I
C
V
V
V
V
GE
V
F
I
C
I
F
nC
Q
G
-di/dt
V
GE
A
I
RM
t
rr
ns
100-12
T
J
= 125°C
V
R
= 600V
I
F
= 75A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
RM
t
rr
Fig. 1
Typ. output characteristics
Fig. 2
Typ. output characteristics
Fig. 3
Typ. transfer characteristics
Fig. 4
Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
Fig. 5
Typ. turn on gate charge
Fig. 6
Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
MII 100-12 A3
MID 100-12 A3
MDI 100-12 A3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MDLM111-X | VOLTAGE COMPARATOR |
| MDLM117-H | POSITIVE THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MDI150-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 150 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI200-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 200 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI22511000016K | 制造商: 功能描述: 制造商:CALIFORNIA INST 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MDI300-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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