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參數(shù)資料
| 型號： | MDI100-12A3 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Modules |
| 中文描述： | 135 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | MDI100-12A3 |
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
50
100
150
0
10
20
30
40
0
40
80
120
160
0
50
100
150
0
5
10
15
20
0
200
400
600
800
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
8
16
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32
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56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
400
800
1200
1600
2000
ns
0
8
16
24
32
40
48
56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
40
80
120
160
200
ns
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
100-12
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
40
80
120
160
200
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
mJ
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
W
R
G
W
t
s
E
on
E
off
t
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
A
MII 100-12 A3
MID 100-12 A3
MDI 100-12 A3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDI150-12A4 | IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
| MDI300-12A4 | IGBT Modules |
| MDL2416C | 15 RED, 4-DIGIT, 16 SEGMENT PLUS DECIMAL HI-REL/MILITARY ALPHANUMERIC INTELLIGENT DISPLAY WITH MEMORY/DECODER/DRIVER |
| MDLM111-X | VOLTAGE COMPARATOR |
| MDLM117-H | POSITIVE THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MDI145-12A3 | 功能描述:IGBT 模塊 145 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI150-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 150 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI200-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 200 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| MDI22511000016K | 制造商: 功能描述: 制造商:CALIFORNIA INST 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MDI300-12A4 | 功能描述:IGBT 模塊 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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