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參數資料
| 型號： | MG1200V1US51 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | MG1200V1US51 |
MG1200V1US51
2001-06-26
1
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N
CHANNEL IGBT
MG1200V1US51
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
FEATURES
High Input Impedance
Enhancement Mode
Electrodes are isolated from case.
EQUIVALENT CIRCUIT
MAXIMUM RATINGS
(Ta = 25
°C
)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector
Emitter Voltage
V
CES
1700
V
Gate
Emitter Voltage
V
GES
20
V
DC
I
C
1200
Collector Current
1ms
I
CP
2400
A
DC
I
F
1200
Forward Current
1ms
I
FM
2400
A
Collector Power Dissipation
(Tc = 25°C)
P
C
5560
W
Junction Temperature
T
j
20~125
°C
Storage Temperature Range
T
stg
40~125
°C
Isolation Voltage
V
Isol
5400
(AC 1min)
V
Terminal: M4/M8
2 / 7
Screw Torque
Mounting
―
4
N·m
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PDF描述 |
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參數描述 |
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