- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371101 > MG200Q1US41 (Toshiba Corporation) Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG200Q1US41 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | N通道IGBT的（大功率開(kāi)關(guān)，馬達(dá)控制應(yīng)用） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | MG200Q1US41 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q1US51 | Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes |
| MG200Q1ZS11 | IND PROX M18 SCR NC 5MM SS |
| MG200Q1ZS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG200Q2YS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG200Q2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200Q1US51 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG200Q1ZS11 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG200Q1ZS40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CHOPPER APPLICATIONS) |
| MG200Q2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG200Q2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。