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參數資料
型號: MG200Q1US51
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes
中文描述: N通道IGBT的(大功率開關,馬達控制應用)
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 253K
代理商: MG200Q1US51
相關PDF資料
PDF描述
MG200Q1ZS11 IND PROX M18 SCR NC 5MM SS
MG200Q1ZS40 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG200Q2YS40 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG200Q2YS50 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG200Q2YS65H IGBT Module Silicon N Channel IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
MG200Q1ZS11 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG200Q1ZS40 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CHOPPER APPLICATIONS)
MG200Q2YS40 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG200Q2YS50 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG200Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 200A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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