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參數資料
型號: MG50Q6ES51A
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述: 硅N通道IGBT的(不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管)
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 272K
代理商: MG50Q6ES51A
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PDF描述
MG50Q6ES51 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG600J2YS60A TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US51 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG600Q1US61 TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
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