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參數資料
| 型號： | MGF0906 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | L,S BAND POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 升，S波段砷化鎵場效應管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MGF0906 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF0906B | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0907 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0907B | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0909 | L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0909A | L,S BAND POWER GaAs FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGF0906B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0906B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0906B_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0907 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0907B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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