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參數資料
| 型號： | MGF1403B |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | LOW NOISE GaAs FET |
| 中文描述： | 低噪聲砷化鎵場效應管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | MGF1403B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF1423B | SMALL SIGNAL GaAs FET |
| MGF1801 | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| MGF1801B | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| MGF1801BT | TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET |
| MGF1908A | TAPE CARRIER LOW NOISE GaAs FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGF1403B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:LOW NOISE GaAs FET |
| MGF1423B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL GaAs FET |
| MGF1451A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Low Noise MES FET |
| MGF1601B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF1601B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MICROWAVE POWER GaAs FET |
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