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參數資料
| 型號： | MGFC38V6472 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | RECTIFIER BRIDGE 10A 400V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX |
| 中文描述： | 6.4 - 7.2GHz頻段6W內部匹配砷化鎵場效應管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | MGFC38V6472 |
June/2004
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFC39V5964 | 5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC39V5964A | 5.9 - 6.4GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC39V3436 | 3.4 - 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC40V3742A | Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 1500uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MGFC39V3436 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET |
| MGFC39V3436_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 ~ 3.6GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC39V3436_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET |
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