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參數資料
| 型號： | MJ11011 |
| 廠商： | 永盛國際集團 |
| 元件分類： | 基準電壓源/電流源 |
| 英文描述： | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
| 中文描述： | 雙通道高效率，低噪聲，同步降壓型開關穩壓器 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | MJ11011 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJ11016 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
| MJ11012 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| MJ11012 | 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS |
| MJ11012 | POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) |
| MJ11016 | POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJ11012 | 功能描述:達林頓晶體管 30A 60V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJ11012_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Current Complementary Silicon Transistors |
| MJ11012G | 功能描述:達林頓晶體管 30A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJ11012G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MJ11013 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Power RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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