欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: MJB44H11
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Card Edge Connector; No. of Contacts:44; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes
中文描述: 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 75K
代理商: MJB44H11
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
http://onsemi.com
4
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
1000
0.1
Figure 4. MJB44H11 DC Current Gain
10
1
10
100
Figure 5. MJB45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJB44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJB45H11 Current Gain
versus Temperature
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
Figure 8. MJB44H11 OnVoltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
T
J
= 25
°
C
Figure 9. MJB45H11 OnVoltages
V
CE
= 1 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
1000
0.1
10
1
10
100
T
J
= 25
°
C
1 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
V
BE(sat)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
CE(sat)
相關PDF資料
PDF描述
MJB44H11T4 Complementary Power Transistors
MJB45H11 Complementary Power Transistors
MJB45H11T4 Complementary Power Transistors
MJF31C 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
MJF32C 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
相關代理商/技術參數
參數描述
MJB44H11_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount
MJB44H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJB44H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJB44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 400mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 4A,1V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
MJB44H11T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
主站蜘蛛池模板: 贡山| 阳曲县| 衡山县| 汉源县| 平山县| 江都市| 宁安市| 新密市| 丰都县| 泸溪县| 酒泉市| 杨浦区| 酉阳| 威远县| 中方县| 稷山县| 通河县| 关岭| 安龙县| 图们市| 思南县| 林甸县| 西畴县| 扎鲁特旗| 汉沽区| 阳信县| 和顺县| 客服| 大城县| 德保县| 聂荣县| 铁岭市| 德兴市| 永州市| 普格县| 怀化市| 吉林市| 延川县| 高台县| 合山市| 闵行区|