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參數資料
| 型號： | MJB44H11T4 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary Power Transistors |
| 中文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJB44H11T4 |
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage
(I
C
= 30 mA, I
B
= 0)
V
CEO(sus)
80
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
BE
= 0)
I
CES
10
μ
A
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 5 Vdc)
I
EBO
50
μ
A
ON CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
V
CE(sat)
1.0
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.8 Adc)
V
BE(sat)
1.5
Vdc
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 2 Adc)
h
FE
60
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 4 Adc)
40
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
MJB44H11
MJB45H11
C
cb
130
230
pF
Gain Bandwidth Product
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 20 MHz)
MJB44H11
MJB45H11
f
T
50
40
MHz
SWITCHING TIMES
Delay and Rise Times
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
d
+ t
r
300
135
ns
Storage Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
s
500
500
ns
Fall Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
f
140
100
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJB45H11 | Complementary Power Transistors |
| MJB45H11T4 | Complementary Power Transistors |
| MJF31C | 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS |
| MJF32C | 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS |
| MJF44H11 | Complementary Power Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJB44H11T4-A | 功能描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| MJB44H11T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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