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參數資料
| 型號： | MJB44H11T4 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary Power Transistors |
| 中文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJB44H11T4 |
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
D
2
PAK
CASE 418B04
ISSUE H
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
SEATING
S
G
D
T
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
F
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.310
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
0.350
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
7.87
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
8.89
MILLIMETERS
INCHES
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.052
0.280
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
1.32
7.11
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
0.110
0.025
0.110
0.072
0.320
2.79
0.64
2.79
1.83
8.13
S
V
0.575
0.045
0.625
0.055
14.60
1.14
15.88
1.40
B
M
B
W
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B01 THRU 418B03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B04.
M
L
F
M
L
F
M
L
F
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
P
U
VIEW WW
1
VIEW WW
2
VIEW WW
3
mm
inches
0.33
8.38
0.04
1.016
0.67
17.02
0.42
10.66
0.12
3.05
0.24
6.096
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJB45H11 | Complementary Power Transistors |
| MJB45H11T4 | Complementary Power Transistors |
| MJF31C | 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS |
| MJF32C | 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS |
| MJF44H11 | Complementary Power Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJB44H11T4-A | 功能描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| MJB44H11T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB45H11T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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