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參數資料
| 型號： | MJE13071 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(5A,400-450V,80W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（5A條,400 - 450V，80瓦） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 182K |
| 代理商： | MJE13071 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16004 | POWER TRANSISTORS(5A,450V,80W) |
| MJE16004 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE16004 | 5.0 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 80 WATTS |
| MJE170 | POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) |
| MJE170 | PNP (LOW POWER AUDIO AMPLIFIER) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE1320 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| MJE15028 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15028_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS |
| MJE15028G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15029 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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